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与硅相比，砷化镓 (GaAs) 具有更为优越的电性能，例如更快的电子的饱和速度和更快的电子迁移率，使得GaAs晶体管可以工作到超过250GHz频率。GaAs的带隙较宽，很容易在单层GaAs上制造有源和关键的无源器件，因而是单片微波集成电路(MMIC) 的理想制造材料。
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